Результаты поиска для 'ssd samsung'

512GB mSATA, SATA III 6Gb/s, Чтение:560 MБ/с, запись:500 MБ/с, Тип памяти:3D, Запись в терабайтах (TBW):280 TBW, Среднее время наработки на отказ (MTBF):2,000,000 час (ов), Ресурс перезаписи в день (DWPD):0.5 (3 лет)

256GB mSATA, SATA III 6Gb/s, Чтение:530 MБ/с, запись:400 MБ/с, Тип памяти:3D, Запись в терабайтах (TBW):140 TBW, Среднее время наработки на отказ (MTBF):2,000,000 час (ов), Ресурс перезаписи в день (DWPD):0.5 (3 лет)

128GB mSATA, SATA III 6Gb/s, Чтение:550 MБ/с, запись:400 MБ/с, Тип памяти:3D, Запись в терабайтах (TBW):70 TBW, Среднее время наработки на отказ (MTBF):2,000,000 час (ов), Ресурс перезаписи в день (DWPD):0.5 (3 лет)

Производитель Transcend Емкость 128GB Интерфейс mini Форм фактор mSATA Скорость чтения 10MB/s Скорость записи 160MB/s Потребляемая мощность 1.85 в активном режиме Рабочая температура -0C +70c MTBF 1,500,000 hrs Рабочее напряжение 3.3V Виброустойчивость 3G, 5Hz - 800Hz Тип чипа MLC Ударопрочность 1,500G@0.5ms

Производитель Transcend Емкость 64GB Интерфейс mini Форм фактор mSATA Скорость чтения 10MB/s Скорость записи 160MB/s Потребляемая мощность 1.85 в активном режиме Рабочая температура -0C +70c MTBF 1,500,000 hrs Рабочее напряжение 3.3V Виброустойчивость 3G, 5Hz - 800Hz Тип чипа MLC Ударопрочность 1,500G@0.5ms

Производитель Transcend Емкость 32GB Интерфейс mini Форм фактор mSATA Скорость чтения 10MB/s Скорость записи 160MB/s Потребляемая мощность 1.85 в активном режиме Рабочая температура -0C +70c MTBF 1,500,000 hrs Рабочее напряжение 3.3V Виброустойчивость 3G, 5Hz - 800Hz Тип чипа MLC Ударопрочность 1,500G@0.5ms

Производитель Transcend Емкость 16GB Интерфейс mini Форм фактор mSATA Скорость чтения 10MB/s Скорость записи 160MB/s Потребляемая мощность 1.85 в активном режиме Рабочая температура -0C +70c MTBF 1,500,000 hrs Рабочее напряжение 3.3V Виброустойчивость 3G, 5Hz - 800Hz Тип чипа MLC Ударопрочность 1,500G@0.5ms