Результаты поиска для '600'

Ємність: 10 000 мА·год (37 Вт·год). Потужність: 22.5 Вт (швидка зарядка). Вбудовані кабелі: USB-C (22.5W) та Lightning (20W). Порти: 1 × USB-A (вихід), 1 × USB-C (вхід/вихід). Підтримка протоколів: PD 3.0, QC 3.0, SCP (Huawei), AFC (Samsung). Дисплей: Цифровий LED-індикатор рівня заряду. Вага та розмір Вага: ~236 г Розмір: 117 × 70.6 × 17.9 мм

Модель P10082107123-00 — це зовнішній акумулятор (павербанк) Baseus EnerFill FC31 Digital Display Power Bank на 20 000 mAh. Основні характеристики: Ємність: 20 000 мА·год (74 Вт·год). Потужність: Максимальна вихідна потужність складає 22.5 Вт. Вбудовані кабелі: Пристрій має два вбудовані кабелі — USB-C та Lightning (iPhone), які також можуть виконувати роль ремінця для перенесення. Кількість портів: Дозволяє заряджати до 4 пристроїв одночасно (2 вбудовані кабелі + вихідні порти USB та Type-C). Швидка зарядка: Підтримує протоколи швидкої зарядки, зокрема Quick Charge 3.0 та Power Delivery (PD). Дисплей: Оснащений цифровим LED-дисплеєм, що показує рівень заряду акумулятора у відсотках. Фізичні параметри та комплектація: Тип батареї: Li-Pol (літій-полімерна). Габарити: Приблизно 121 x 73 x 32 мм. Вага: Близько 359 г. Комплект: Павербанк, інструкція та гарантійний талон.

Тип М.2 2242 Розміри Односторонній 42 мм x 22 мм x 2,23 мм (1,65 дюйма x 0,87 дюйма x 0,09 дюйма) Вага 5 г (0,18 унції) Інтерфейс шини NVMe PCIe Gen4 x4 Тип 3D NAND флеш-пам'ять Місткість 1ТБ Робоча температура 0°C (32°F) ~ 70°C (158°F) Робоча напруга 3,3 В ± 5% Послідовне читання/запис (CrystalDiskMark) 5000/3500 МБ/с Випадкове читання/запис 4K (IOmeter) 330 000/690 000 IOPS Записано терабайтів (TBW) 600 TBW Середній час між відмовами (MTBF) 2 000 000 годин Кількість записів на диск за день (DWPD) 0,33 (5 років) Гарантія П'ятирічна обмежена гарантія Операційна система Microsoft Windows 7 або пізнішої версії

Type M.2 2230 Dimensions 30.0 mm x 22.0 mm x 2.38 mm (1.18" x 0.87" x 0.09") Weight 4 g (0.14 oz) Bus Interface NVMe PCIe Gen4 x4 Flash Type 3D NAND flash Capacity 2TB Operating Temperature 0°C (32°F) ~ 70°C (158°F) Operating Voltage 3.3V±5% Sequential Read/Write (CrystalDiskMark) До 5000/4000 МБ/с 4K Random Read/Write (IOmeter) До 600 000/500 000 IOPS Terabytes Written (TBW) 1200 TBW Mean Time Between Failures (MTBF) 2,000,000 hour(s) Drive Writes Per Day (DWPD) 0.33 (5 yrs) Warranty Five-year Limited Warranty Operating System Microsoft Windows 7 or later, Linux Kernel 2.6.31 or later

Type M.2 2230 Dimensions 30.0 mm x 22.0 mm x 2.38 mm (1.18" x 0.87" x 0.09") Weight 4 g (0.14 oz) Bus Interface NVMe PCIe Gen4 x4 Flash Type 3D NAND flash Capacity 1 TB Operating Temperature 0°C (32°F) ~ 70°C (158°F) Operating Voltage 3.3V±5% Sequential Read/Write (CrystalDiskMark) 1TB Up to 5,000/3,500 MB/s 4K Random Read/Write (IOmeter) 1TB Up to 330,000/690,000 IOPS Terabytes Written (TBW) 1TB 600 TBW Mean Time Between Failures (MTBF) 2,000,000 hour(s) Drive Writes Per Day (DWPD) 0.33 (5 yrs) Warranty Five-year Limited Warranty Operating System Microsoft Windows 7 or later, Linux Kernel 2.6.31 or later

Тип М.2 2280 Розміри Односторонній 80 мм x 22 мм x 2,42 мм (3,15 дюйма x 0,87 дюйма x 0,1 дюйма) Вага 9 г (0,32 унції) Тип радіатора Графеновий радіатор Інтерфейс шини NVMe PCIe Gen4 x4 Тип 3D NAND флеш-пам'ять Місткість 1ТБ /2ТБ Робоча температура 0°C (32°F) ~ 70°C (158°F) Послідовне читання/запис (CrystalDiskMark) 2ТБ До 7400/6500 МБ/с та 1ТБ До 7400/5200 МБ/с Випадкове читання/запис 4K (IOmeter) 2ТБ До 700 000/500 000 IOPS та 1ТБ До 660 000/500 000 IOPS Записано терабайтів (TBW) 2ТБ- 1200 TBW та 1ТБ- 600 TBW Середній час між відмовами (MTBF) 2 000 000 годин Кількість записів на диск за день (DWPD) 0,33 (5 років) Гарантія П'ятирічна обмежена гарантія.

Тип М.2 2280 Розміри Односторонній 80 мм x 22 мм x 2,42 мм (3,15 дюйма x 0,87 дюйма x 0,1 дюйма) Вага 9 г (0,32 унції) Тип радіатора Графеновий радіатор Інтерфейс шини NVMe PCIe Gen4 x4 Тип 3D NAND флеш-пам'ять Місткість 1 ТБ /2 ТБ Робоча температура 0°C (32°F) ~ 70°C (158°F) Послідовне читання/запис (CrystalDiskMark) 2ТБ До 7400/6500 МБ/с та 1ТБ До 7400/5200 МБ/с Випадкове читання/запис 4K (IOmeter) 2ТБ До 700 000/500 000 IOPS та 1ТБ До 660 000/500 000 IOPS Записано терабайтів (TBW) 2ТБ- 1200 TBW та 1ТБ- 600 TBW Середній час між відмовами (MTBF) 2 000 000 годин Кількість записів на диск за день (DWPD) 0,33 (5 років) Гарантія П'ятирічна обмежена гарантія.

Тип М.2 2280 Розміри Односторонній 80 мм x 22 мм x 2,42 мм (3,15 дюйма x 0,87 дюйма x 0,1 дюйма) Вага 9 г (0,35 унції) Тип радіатора Графеновий радіатор Інтерфейс шини NVMe PCIe Gen4 x4 Тип 3D NAND флеш-пам'ять Робоча температура 0°C (32°F) ~ 70°C (158°F) Робоча напруга 3,3 В ± 5% Послідовне читання/запис (CrystalDiskMark) До 5300/4000 МБ/с Випадкове читання/запис 4K (IOmeter) До 390 000/630 000 IOPS Записано терабайтів (TBW) 2400 TBW Середній час між відмовами (MTBF) 2 000 000 годин Кількість записів на диск за день (DWPD) 0,33 (5 років) Гарантія П'ятирічна обмежена гарантія Операційна система Microsoft Windows 7 або пізнішої версії, Linux 2.6.31 або пізнішої версії

Тип М.2 2280 Розміри Односторонній 80 мм x 22 мм x 2,42 мм (3,15 дюйма x 0,87 дюйма x 0,1 дюйма) Вага 9 г (0,35 унції) Тип радіатора Графеновий радіатор Інтерфейс шини NVMe PCIe Gen4 x4 Тип 3D NAND флеш-пам'ять Робоча температура 0°C (32°F) ~ 70°C (158°F) Робоча напруга 3,3 В ± 5% Послідовне читання/запис (CrystalDiskMark) 2 ТБДо 5300/4600 МБ/с Випадкове читання/запис 4K (IOmeter) До 480 000/620 000 IOPS Записано терабайтів (TBW) 1200 TBW Середній час між відмовами (MTBF) 2 000 000 годин Кількість записів на диск за день (DWPD) 0,33 (5 років) Гарантія П'ятирічна обмежена гарантія Операційна система Microsoft Windows 7 або пізнішої версії, Linux 2.6.31 або пізнішої версії

Тип М.2 2280 Розміри Односторонній 80 мм x 22 мм x 2,42 мм (3,15 дюйма x 0,87 дюйма x 0,1 дюйма) Вага 9 г (0,35 унції) Тип радіатора Графеновий радіатор Інтерфейс шини NVMe PCIe Gen4 x4 Тип 3D NAND флеш-пам'ять Робоча температура 0°C (32°F) ~ 70°C (158°F) Робоча напруга 3,3 В ± 5% Послідовне читання/запис (CrystalDiskMark) До 5300/4000 МБ/с Випадкове читання/запис 4K (IOmeter) До 500 000/630 000 IOPS Записано терабайтів (TBW) 600 TBW Середній час між відмовами (MTBF) 2 000 000 годин Кількість записів на диск за день (DWPD) 0,33 (5 років) Гарантія П'ятирічна обмежена гарантія Операційна система Microsoft Windows 7 або пізнішої версії, Linux 2.6.31 або пізнішої версії

• 1TB M.2 2242
• SATAIII
• Чтение: 550 MБ/с, запись: 500 MБ/с
• Тип памяти: 3D

Transcend 2TB SSD NVMe PCIe Gen4 x4 250S, Solid State Drive, M.2 2280, 3D NAND flash, Sequential Read/Write - up to 7,200/6,200 MB/s TS1TMTE250H

Transcend 2TB SSD NVMe PCIe Gen4 x4 250S, Solid State Drive, M.2 2280, Sequential Read/Write - up to 7,100/6,500 MB/s TS2TMTE250S.

Transcend 1TB SSD NVMe PCIe Gen4 x4 250S, Solid State Drive, M.2 2280, Sequential Read/Write - up to 7,200/6,200 MB/s TS1TMTE250S.

• 250GB M.2 2242
• SATAIII
• Чтение: 500 MБ/с, запись: 330 MБ/с
• Тип памяти: 3D

• 500GB M.2 2242
• SATAIII
• Чтение: 530 MБ/с, запись: 480 MБ/с
• Тип памяти: 3D

• 1TB Portable
• USB 3.1 Gen 2
• Чтение: 520 MБ/с, запись: 460 MБ/с
• Тип памяти: 3D

• 500GB Portable
• USB 3.1 Gen 2
• Чтение: 520 MБ/с, запись: 460 MБ/с
• Тип памяти: 3D

• 250GB Portable
• USB 3.1 Gen 2
• Чтение: 520 MБ/с, запись: 460 MБ/с
• Тип памяти: 3D

SSD накопитель 4000 ГБ SATA rev. 3.0 тип флеш-памяти NAND: 3D TLC скорость чтения: 560 МБ/с скорость записи: 520 МБ/с