Тип М.2 2280 Розміри Односторонній 80 мм x 22 мм x 2,42 мм (3,15 дюйма x 0,87 дюйма x 0,1 дюйма) Вага 9 г (0,35 унції) Тип радіатора Графеновий радіатор Інтерфейс шини NVMe PCIe Gen4 x4 Тип 3D NAND флеш-пам'ять Робоча температура 0°C (32°F) ~ 70°C (158°F) Робоча напруга 3,3 В ± 5% Послідовне читання/запис (CrystalDiskMark) До 5300/4000 МБ/с Випадкове читання/запис 4K (IOmeter) До 500 000/630 000 IOPS Записано терабайтів (TBW) 600 TBW Середній час між відмовами (MTBF) 2 000 000 годин Кількість записів на диск за день (DWPD) 0,33 (5 років) Гарантія П'ятирічна обмежена гарантія Операційна система Microsoft Windows 7 або пізнішої версії, Linux 2.6.31 або пізнішої версії

Type M.2 2230 Dimensions 30.0 mm x 22.0 mm x 2.38 mm (1.18" x 0.87" x 0.09") Weight 4 g (0.14 oz) Bus Interface NVMe PCIe Gen4 x4 Flash Type 3D NAND flash Capacity 1 TB Operating Temperature 0°C (32°F) ~ 70°C (158°F) Operating Voltage 3.3V±5% Sequential Read/Write (CrystalDiskMark) 1TB Up to 5,000/3,500 MB/s 4K Random Read/Write (IOmeter) 1TB Up to 330,000/690,000 IOPS Terabytes Written (TBW) 1TB 600 TBW Mean Time Between Failures (MTBF) 2,000,000 hour(s) Drive Writes Per Day (DWPD) 0.33 (5 yrs) Warranty Five-year Limited Warranty Operating System Microsoft Windows 7 or later, Linux Kernel 2.6.31 or later

Type M.2 2230 Dimensions 30.0 mm x 22.0 mm x 2.38 mm (1.18" x 0.87" x 0.09") Weight 4 g (0.14 oz) Bus Interface NVMe PCIe Gen4 x4 Flash Type 3D NAND flash Capacity 2TB Operating Temperature 0°C (32°F) ~ 70°C (158°F) Operating Voltage 3.3V±5% Sequential Read/Write (CrystalDiskMark) До 5000/4000 МБ/с 4K Random Read/Write (IOmeter) До 600 000/500 000 IOPS Terabytes Written (TBW) 1200 TBW Mean Time Between Failures (MTBF) 2,000,000 hour(s) Drive Writes Per Day (DWPD) 0.33 (5 yrs) Warranty Five-year Limited Warranty Operating System Microsoft Windows 7 or later, Linux Kernel 2.6.31 or later

Тип М.2 2280 Розміри Односторонній 80 мм x 22 мм x 2,42 мм (3,15 дюйма x 0,87 дюйма x 0,1 дюйма) Вага 9 г (0,35 унції) Тип радіатора Графеновий радіатор Інтерфейс шини NVMe PCIe Gen4 x4 Тип 3D NAND флеш-пам'ять Робоча температура 0°C (32°F) ~ 70°C (158°F) Робоча напруга 3,3 В ± 5% Послідовне читання/запис (CrystalDiskMark) До 5300/4000 МБ/с Випадкове читання/запис 4K (IOmeter) До 390 000/630 000 IOPS Записано терабайтів (TBW) 2400 TBW Середній час між відмовами (MTBF) 2 000 000 годин Кількість записів на диск за день (DWPD) 0,33 (5 років) Гарантія П'ятирічна обмежена гарантія Операційна система Microsoft Windows 7 або пізнішої версії, Linux 2.6.31 або пізнішої версії

Тип М.2 2280 Розміри Односторонній 80 мм x 22 мм x 2,42 мм (3,15 дюйма x 0,87 дюйма x 0,1 дюйма) Вага 9 г (0,35 унції) Тип радіатора Графеновий радіатор Інтерфейс шини NVMe PCIe Gen4 x4 Тип 3D NAND флеш-пам'ять Робоча температура 0°C (32°F) ~ 70°C (158°F) Робоча напруга 3,3 В ± 5% Послідовне читання/запис (CrystalDiskMark) 500 ГБ До 4800/2800 МБ/с Випадкове читання/запис 4K (IOmeter) 500 ГБ До 300 000/520 000 IOPS Записано терабайтів (TBW) 500 ГБ 300 TBW Середній час між відмовами (MTBF) 2 000 000 годин Кількість записів на диск за день (DWPD) 0,33 (5 років) Гарантія П'ятирічна обмежена гарантія Операційна система Microsoft Windows 7 або пізнішої версії, Linux 2.6.31 або пізнішої версії

Тип М.2 2280 Розміри Односторонній 80 мм x 22 мм x 2,42 мм (3,15 дюйма x 0,87 дюйма x 0,1 дюйма) Вага 9 г (0,35 унції) Тип радіатора Графеновий радіатор Інтерфейс шини NVMe PCIe Gen4 x4 Тип 3D NAND флеш-пам'ять Робоча температура 0°C (32°F) ~ 70°C (158°F) Робоча напруга 3,3 В ± 5% Послідовне читання/запис (CrystalDiskMark) 2 ТБДо 5300/4600 МБ/с Випадкове читання/запис 4K (IOmeter) До 480 000/620 000 IOPS Записано терабайтів (TBW) 1200 TBW Середній час між відмовами (MTBF) 2 000 000 годин Кількість записів на диск за день (DWPD) 0,33 (5 років) Гарантія П'ятирічна обмежена гарантія Операційна система Microsoft Windows 7 або пізнішої версії, Linux 2.6.31 або пізнішої версії