• 500GB M.2 2280
• NVMe PCIe Gen4 x4
• Чтение: 3800 MБ/с, запись: 2800 MБ/с
• Тип памяти: 3D

Тип М.2 2242 Розміри Односторонній 42 мм x 22 мм x 2,23 мм (1,65 дюйма x 0,87 дюйма x 0,09 дюйма) Вага 5 г (0,18 унції) Інтерфейс шини NVMe PCIe Gen4 x4 Тип 3D NAND флеш-пам'ять Місткість 512 ГБ Робоча температура 0°C (32°F) ~ 70°C (158°F) Робоча напруга 3,3 В ± 5% Послідовне читання/запис (CrystalDiskMark) 512 ГБ До 5000/3500 МБ/с Випадкове читання/запис 4K (IOmeter) 512 ГБ До 330 000/590 000 IOPS Записано терабайтів (TBW) 512ГБ 300 TBW Середній час між відмовами (MTBF) 2 000 000 годин Кількість записів на диск за день (DWPD) 0,33 (5 років) Гарантія П'ятирічна обмежена гарантія Операційна система Microsoft Windows 7 або пізнішої версії

TS512GSSD230S

Тип -внутренний

Применение -для настольного компьютера, для ноутбука

Форм-фактор -2.5"

Объем накопителя -512MБ

Тип NAND памяти -3D TLC NAND

Скорость записи данных, Mb/s -500

Скорость чтения данных, Mb/s -560

512GB mSATA, SATA III 6Gb/s, Чтение:560 MБ/с, запись:500 MБ/с, Тип памяти:3D, Запись в терабайтах (TBW):280 TBW, Среднее время наработки на отказ (MTBF):2,000,000 час (ов), Ресурс перезаписи в день (DWPD):0.5 (3 лет)

Тип М.2 2280 Розміри 80 мм x 22 мм x 3,77 мм (3,15 дюйма x 0,87 дюйма x 0,15 дюйма) Вага 10 г (0,35 унції) Тип радіатора Графеновий радіатор Інтерфейс шини NVMe PCIe 5-го покоління x4 Тип спалаху 3D NAND флеш-пам'ять Місткість 1 ТБ /2 ТБ Робоча температура 0°C (32°F) ~ 70°C (158°F) Робоча напруга 3,3 В ± 5% Послідовне читання/запис (CrystalDiskMark) До 14 000/9 800 МБ/с Випадкове читання/запис 4K (IOmeter) До 1 300 000/1 000 000 IOPS Записано терабайтів (TBW) 750 TBW Середній час між відмовами (MTBF) 2 000 000 годин Кількість записів на диск за день (DWPD) 0,411 (5 років) Гарантія П'ятирічна обмежена гарантія Операційна система Microsoft Windows 7 або пізнішої версії, Linux 2.6.31 або пізнішої версії