• 256GB M.2 2280
• PCIe Gen3x4
• Чтение: 3300 MБ/с, запись: 1250 MБ/с
• Тип памяти: 3D TLC

Тип-Внутренний Применение-Для настольного компьютера, Для ноутбука Форм-фактор-M.2 (2280) Объем накопителя-500 ГБ Тип NAND памяти-3D QLC NAND Скорость записи данных, Mb/s-900 Скорость чтения данных, Mb/s-1900 Наработка мотора на отказ, тыс. ч-2 млн. ч Интерфейс подключения-PCIe NVMe 3.0 x4

Тип М.2 2280 Розміри Односторонній 80 мм x 22 мм x 2,42 мм (3,15 дюйма x 0,87 дюйма x 0,1 дюйма) Вага 9 г (0,35 унції) Тип радіатора Графеновий радіатор Інтерфейс шини NVMe PCIe Gen4 x4 Тип 3D NAND флеш-пам'ять Робоча температура 0°C (32°F) ~ 70°C (158°F) Робоча напруга 3,3 В ± 5% Послідовне читання/запис (CrystalDiskMark) 500 ГБ До 4800/2800 МБ/с Випадкове читання/запис 4K (IOmeter) 500 ГБ До 300 000/520 000 IOPS Записано терабайтів (TBW) 500 ГБ 300 TBW Середній час між відмовами (MTBF) 2 000 000 годин Кількість записів на диск за день (DWPD) 0,33 (5 років) Гарантія П'ятирічна обмежена гарантія Операційна система Microsoft Windows 7 або пізнішої версії, Linux 2.6.31 або пізнішої версії

• 512GB M.2 2280
• PCIe Gen3x4
• Чтение: 3500 MБ/с, запись: 2500 MБ/с
• Тип памяти: 3D TLC

Тип М.2 2280 Розміри Односторонній 80 мм x 22 мм x 2,42 мм (3,15 дюйма x 0,87 дюйма x 0,1 дюйма) Вага 9 г (0,35 унції) Тип радіатора Графеновий радіатор Інтерфейс шини NVMe PCIe Gen4 x4 Тип 3D NAND флеш-пам'ять Робоча температура 0°C (32°F) ~ 70°C (158°F) Робоча напруга 3,3 В ± 5% Послідовне читання/запис (CrystalDiskMark) 2 ТБДо 5300/4600 МБ/с Випадкове читання/запис 4K (IOmeter) До 480 000/620 000 IOPS Записано терабайтів (TBW) 1200 TBW Середній час між відмовами (MTBF) 2 000 000 годин Кількість записів на диск за день (DWPD) 0,33 (5 років) Гарантія П'ятирічна обмежена гарантія Операційна система Microsoft Windows 7 або пізнішої версії, Linux 2.6.31 або пізнішої версії