• 256GB M.2 2280
• NVMe PCIe Gen3x4
• Чтение: 2000 MB/s, запись: 1200 MB/s
• Тип памяти: 3D TLC

• 512GB M.2 2280
• NVMe PCIe Gen3x4
• Чтение: 2100 MB/s, запись: 1700 MB/s
• Тип памяти: 3D TLC

• 512GB M.2 2230
• PCI Express 3.0 x4
• Чтение: 2000 MБ/с, запись: 1100 MБ/с
• Тип памяти: 3D NAND flash

NVMe PCIe Gen3 x4

• 512GB M.2 2280
• PCIe Gen3x4
• Чтение: 3500 MБ/с, запись: 2500 MБ/с
• Тип памяти: 3D TLC

• 1TB M.2 2280
• PCI Express 3.0 x4
• Чтение: 3200 MБ/с, запись: 2000 MБ/с
• Тип памяти: 3D

Интерфейс шины: NVMe PCIe Gen3 x4

• 1TB M.2 2280
• PCIe Gen3x4
• Чтение: 3500 MБ/с, запись: 3200 MБ/с
• Тип памяти: 3D TLC

Тип М.2 2280 Розміри Односторонній 80 мм x 22 мм x 2,42 мм (3,15 дюйма x 0,87 дюйма x 0,1 дюйма) Вага 9 г (0,32 унції) Тип радіатора Графеновий радіатор Інтерфейс шини NVMe PCIe Gen4 x4 Тип 3D NAND флеш-пам'ять Місткість 1 ТБ /2 ТБ Робоча температура 0°C (32°F) ~ 70°C (158°F) Послідовне читання/запис (CrystalDiskMark) 2ТБ До 7400/6500 МБ/с та 1ТБ До 7400/5200 МБ/с Випадкове читання/запис 4K (IOmeter) 2ТБ До 700 000/500 000 IOPS та 1ТБ До 660 000/500 000 IOPS Записано терабайтів (TBW) 2ТБ- 1200 TBW та 1ТБ- 600 TBW Середній час між відмовами (MTBF) 2 000 000 годин Кількість записів на диск за день (DWPD) 0,33 (5 років) Гарантія П'ятирічна обмежена гарантія.

• 1TB M.2 2230
• PCI Express 3.0 x4
• Чтение: 2000 MБ/с, запись: 1650 MБ/с
• Тип памяти: 3D NAND flash

NVMe PCIe Gen3 x4

• 1TB M.2 2280
• NVMe PCIe Gen3x4
• Чтение: 3400 MB/s, запись: 3000 MB/s
• Тип памяти: 3D TLC

• 2TB M.2 2280
• PCI Express 3.0 x4
• Чтение: 3200 MБ/с, запись: 1900 MБ/с
• Тип памяти: 3D

Интерфейс шины: NVMe PCIe Gen3 x4

Тип М.2 2280 Розміри Односторонній 80 мм x 22 мм x 2,42 мм (3,15 дюйма x 0,87 дюйма x 0,1 дюйма) Вага 9 г (0,32 унції) Тип радіатора Графеновий радіатор Інтерфейс шини NVMe PCIe Gen4 x4 Тип 3D NAND флеш-пам'ять Місткість 1ТБ /2ТБ Робоча температура 0°C (32°F) ~ 70°C (158°F) Послідовне читання/запис (CrystalDiskMark) 2ТБ До 7400/6500 МБ/с та 1ТБ До 7400/5200 МБ/с Випадкове читання/запис 4K (IOmeter) 2ТБ До 700 000/500 000 IOPS та 1ТБ До 660 000/500 000 IOPS Записано терабайтів (TBW) 2ТБ- 1200 TBW та 1ТБ- 600 TBW Середній час між відмовами (MTBF) 2 000 000 годин Кількість записів на диск за день (DWPD) 0,33 (5 років) Гарантія П'ятирічна обмежена гарантія.

• 2TB M.2 2280
• PCIe Gen3x4
• Чтение: 3500 MБ/с, запись: 2900 MБ/с
• Тип памяти: 3D TLC

• 128GB M.2 2280
• PCI Express 3.0 x4
• Чтение: 1500 MБ/с, запись: 550 MБ/с
• Тип памяти: 3D

• 256MB M.2 2280
• PCI Express 3.0 x4
• Чтение: 1600 MБ/с, запись: 1100 MБ/с
• Тип памяти: 3D

• 250MB M.2 2280
• PCI Express 3.0 x4
• Чтение: 3200 MБ/с, запись: 1300 MБ/с
• Тип памяти: 3D

Интерфейс шины: NVMe PCIe Gen3 x4

• 256GB M.2 2280
• NVMe PCIe Gen3x4
• Чтение: 3000 MB/s, запись: 1000 MB/s
• Тип памяти: 3D TLC

• 512MB M.2 2280
• PCI Express 3.0 x4
• Чтение: 1700 MБ/с, запись: 1400 MБ/с
• Тип памяти: 3D

• 256GB M.2 2230
• PCI Express 3.0 x4
• Чтение: 2000 MБ/с, запись: 950 MБ/с
• Тип памяти: 3D NAND flash

NVMe PCIe Gen3 x4

• 256GB M.2 2280
• PCIe Gen3x4
• Чтение: 3300 MБ/с, запись: 1250 MБ/с
• Тип памяти: 3D TLC

• 256GB M.2 2280
• PCI Express 3.0 x4
• Чтение: 1600 MБ/с, запись: 1100 MБ/с
• Тип памяти: 3D