• широкий температурный диапазон
• защита от ударов и вибраций
• низкое энергопотребление
• технологии обнаружения и коррекции ошибок
• поддержка технологий StaticDataRefresh и EarlyRetirement для отслеживания появления ошибочных битов

TS2TSSD230S

Тип -внутренний

Применение -для настольного компьютера, для ноутбука

Форм-фактор -2.5"

Объем накопителя -2ТБ

Тип NAND памяти -3D TLC NAND

Скорость записи данных, Mb/s -520

Скорость чтения данных, Mb/s -560

• 2TB 2.5"
• SATAIII
• Чтение: 550 MБ/с, запись: 500 MБ/с
• Тип памяти: QLC

• 2TB M.2 2280
• SATA III 6Gb/s
• Чтение: 560 MБ/с, запись: 520 MБ/с
• Тип памяти: 3D TLC NAND
• Случайная производительность Чтения/Записи 4К (IOmeter) До 90,000/85,000 IOPS
• Запись в терабайтах (TBW) - 2 ТБ - 1,120 TBW

• 2TB M.2 2280
• NVMe PCIe Gen3x4
• Чтение: 3500 MB/s, запись: 3000 MB/s
• Тип памяти: 3D TLC

• 2TB M.2 2280
• PCI Express 4.0 x4
• Чтение: 4700 MB/s, запись: 1850 MB/s
• Тип памяти: 3D NAND (QLC)

• CFexpress Type B
• 512 ГБ, 3D NAND
• Класс:
• Скорость чтения (max): 1700MB/s, записи: 1000MB/s
• Диапазон температур: -10°C..70°C

• 2TB M.2 2280
• NVMe PCIe Gen3x4
• Чтение: 3500 MB/s, запись: 3000 MB/s
• Тип памяти: 3D TLC

• 4TB M.2 2280
• NVMe PCIe Gen3x4
• Чтение: 3400 MB/s, запись: 3000 MB/s
• Тип памяти: QLC

• 4TB M.2 2280
• SATA III 6Gb/s
• Чтение: 560 MБ/с, запись: 520 MБ/с
• Тип памяти: 3D TLC NAND
• Случайная производительность Чтения/Записи 4К (IOmeter) До 90,000/85,000 IOPS
• Запись в терабайтах (TBW) - 2 ТБ - 2240 TBW

• 4TB M.2 2280
• PCI Express 4.0 x4
• Чтение: 4700 MB/s, запись: 1850 MB/s
• Тип памяти: 3D NAND (QLC)

• 2TB M.2 2280
• PCI Express 4.0 x4
• Чтение: 7000 MB/s, запись: 5000 MB/s
• Тип памяти: 3D TLC NAND