SSD накопитель TRANSCEND 2TB M.2 PCle 3.0 4x2280 (TS2TMTE110S)

NVMe SSD 110S Твердотельный накопитель Transcend MTE110S оснащен интерфейсом PCI Express® Gen3 x4 с поддержкой стандарта NVMe™ и демонстрирует выдающуюся производительность. Твердотельный накопитель MTE110S предназначен для оснащения высокопроизводительных систем, использующихся для задач, которые требуют максимального уровня готовности и не допускают малейших задержек — рабочих станций для обработки аудио и видео, игровых ПК, а также корпоративных решений. Построенные на базе флэш-памяти 3D NAND, твердотельные накопители MTE110S не только обеспечивают высокую скорость передачи данных, но также демонстрируют высочайший уровень надежност Отличный уровень производительности для наиболее требовательных решений Твердотельные накопители Transcend MTE110S выполнены в форм-факторе M.2, оснащены интерфейсом PCIe™ Gen3 x4 и соответствуют всем требованиям стандарта NVMe 1.3, позволяющем использовать для одновременной передачи и приема данных четыре линии, что суммарно обеспечивает пропускную способность до 2 500 МБ/с при чтении и 1 700 МБ/с при записи*. *Примечание: данные о производительности основаны на результатах тестирования с помощью CrystalDiskMark v5.0.2. Что такое интерфейс PCIe Интерфейс PCIe (или PCI Express®) используется для соединения хост-компьютера с твердотельными накопителями. Данный интерфейс использует одну или более линий, по каждой из которых осуществляются передача и прием данных, и отличается от SATA (или Serial ATA) значительно более высокой производительностью, что позволяет ему в лучшей степени соответствовать требованиям современных высокоскоростных систем и устройств. Что такое стандарт NVMe NVMe (или NVM Express®) — это интерфейс хост-контроллера, созданный для использования в корпоративных и клиентских системах, которые оснащены твердотельными накопителями с интерфейсами PCI Express. Стандарт NVMe подразумевает более высокий уровень производительности, чем AHCI (Advanced Host Controller Interface), в том числе, он содержит требования относительно масштабирования пропускной способности, большего количества операций ввода/вывода в секунду и минимизации задержек. 3D-технологии раздвигают пределы возможного В отличие от прежних, плоских по своей структуре микросхем NAND, ячейки флэш-чипы 3D NAND располагаются в нескольких плоскостях и могут находиться одна над другой. Технология 3D NAND призвана преодолеть существующие ограничения плотности размещения ячеек флэш-памяти, а также повысить уровень производительности и долговечности этого типа памяти.