Модуль памяти 8GB DDR4-3200 с эффективной частотой 25600 MHz для ПК

Модуль памяти для ноутбука 8GB DDR4-3200 с эффективной частотой 25600 MHz

Модуль памяти SO-DIMM 8GB DDR4-3200 с эффективной частотой 25600 MHz для ноутбука

Модуль памяти 16GB DDR4-3200 с эффективной частотой 25600 MHz для ПК

Модуль памяти 16GB DDR5-4800 для ПК

Модуль памяти 8GB DDR3-1600 DIMM для серверов

Модуль памяти 32GB DDR4-3200 с эффективной частотой 25600 MHz для ПК

Модуль памяти 32GB DDR5-4800 для ПК

Модуль памяти 16GB DDR3-1333 DIMM для серверов

Модуль памяти 2GB DDR3-1333 SO-DIMM для ноутбука

Модуль памяти 2GB DDR3-1600 SO-DIMM для ноутбука

Модуль памяти 4GB DDR3-1600 DIMM для настольного ПК

Модули памяти Transcend JetRam производятся на базе фирменных микросхем DRAM класса ETT, которые проходят тщательный отбор и тестирование в различных условиях эксплуатации. Эти модули отличаются прекрасной совместимостью и подтвержденной испытаниями надежностью, что делает их идеальным и недорогим решением для обновления ПК. Каждый модуль соответствует рейтингу 3200 Mbps, обеспечивая скорость передачи данных до 25.6 ГБ/с. Модули Transcend JetRam DDR4 U-DIMM работают при напряжении 1,2 В, что позволяет не только уменьшить уровень нагрева, но также снизить электрическую нагрузку на контроллере памяти, а следовательно, и до 40 % сократить расход электроэнергии, по сравнению со стандартными 1,5 В модулями DDR3.

Модуль памяти 8GB DDR4-2666 с эффективной частотой 21300 MHz для ПК

Модули памяти Transcend JetRam производятся на базе фирменных микросхем DRAM класса ETT, которые проходят тщательный отбор и тестирование в различных условиях эксплуатации. Эти модули отличаются прекрасной совместимостью и подтвержденной испытаниями надежностью, что делает их идеальным и недорогим решением для обновления ПК. Каждый модуль соответствует рейтингу 2666 Mbps, обеспечивая скорость передачи данных до 21 ГБ/с. Модули Transcend JetRam DDR4 SO-DIMM работают при напряжении 1,2 В, что позволяет не только уменьшить уровень нагрева, но также снизить электрическую нагрузку на контроллере памяти, а следовательно, и до 40 % сократить расход электроэнергии, по сравнению со стандартными 1,5 В модулями DDR3.