Модуль памяти для ноутбука 8GB DDR4-3200 с эффективной частотой 25600 MHz

Модуль памяти 8GB DDR4-3200 с эффективной частотой 25600 MHz для ПК

Memory DDR4 Module Type 288 pin UDIMM for Desktop Speeds (MHZ) 3200Mhz Latency CL16 Voltages 1.35V Module Capacities 8GB Package Single Dual Cannel Kits Low Profile 37mm Hight Heatsink Superior Aluminum Heat Spreader Performance Profile XMP 2.0 Operating Temperature 0°C to 70°C Warranty Period Limited Lifetime Warrant

Модуль памяти 16GB DDR3-1333 DIMM для серверов

Модуль памяти 2GB DDR3-1333 SO-DIMM для ноутбука

Модуль памяти 2GB DDR3-1600 SO-DIMM для ноутбука

Модуль памяти SO-DIMM 8GB DDR4-3200 с эффективной частотой 25600 MHz для ноутбука

Модуль памяти 4GB DDR3-1600 DIMM для настольного ПК

Модули памяти Transcend JetRam производятся на базе фирменных микросхем DRAM класса ETT, которые проходят тщательный отбор и тестирование в различных условиях эксплуатации. Эти модули отличаются прекрасной совместимостью и подтвержденной испытаниями надежностью, что делает их идеальным и недорогим решением для обновления ПК. Каждый модуль соответствует рейтингу 3200 Mbps, обеспечивая скорость передачи данных до 25.6 ГБ/с. Модули Transcend JetRam DDR4 U-DIMM работают при напряжении 1,2 В, что позволяет не только уменьшить уровень нагрева, но также снизить электрическую нагрузку на контроллере памяти, а следовательно, и до 40 % сократить расход электроэнергии, по сравнению со стандартными 1,5 В модулями DDR3.

Модуль памяти 8GB DDR4-2666 с эффективной частотой 21300 MHz для ПК

Модули памяти Transcend JetRam производятся на базе фирменных микросхем DRAM класса ETT, которые проходят тщательный отбор и тестирование в различных условиях эксплуатации. Эти модули отличаются прекрасной совместимостью и подтвержденной испытаниями надежностью, что делает их идеальным и недорогим решением для обновления ПК. Каждый модуль соответствует рейтингу 2666 Mbps, обеспечивая скорость передачи данных до 21 ГБ/с. Модули Transcend JetRam DDR4 SO-DIMM работают при напряжении 1,2 В, что позволяет не только уменьшить уровень нагрева, но также снизить электрическую нагрузку на контроллере памяти, а следовательно, и до 40 % сократить расход электроэнергии, по сравнению со стандартными 1,5 В модулями DDR3.